ثورة تقنية.. أسرع ذاكرة فلاش في العالم ترى النور

نجح فريق من الباحثين الصينيين في تطوير جهاز ذاكرة "فلاش" جديد يُعد الأسرع من نوعه في عالم أشباه الموصلات، حيث يمكنه تخزين بت واحد من البيانات في زمن قياسي لا يتجاوز 400 بيكو ثانية، محطمًا بذلك الأرقام القياسية السابقة في هذا المجال.

"بوكس": أسرع من الذاكرات المعروفة جميعها

الذاكرة الجديدة، التي أُطلق عليها اسم "بوكس"، تندرج ضمن فئة الذاكرات غير المتطايرة، لكنها تفوقت بسرعة ملحوظة على الذاكرات المتطايرة التقليدية مثل SRAM وDRAM، والتي تتراوح سرعتها بين 1 إلى 10 نانو ثانية.

وللمقارنة، فإن البيكو ثانية الواحدة تعادل واحدًا من التريليون من الثانية، مما يجعل الإنجاز مذهلًا من حيث الكفاءة الزمنية.

مشكلة الطاقة والسرعة: تقنية جديدة تكسر التحدي

لطالما شكل التوازن بين سرعة الأداء واستهلاك الطاقة تحديًا أمام تطوير تقنيات الذاكرة، إذ إن الذاكرات المتطايرة تفقد البيانات عند انقطاع التيار الكهربائي، بينما تعاني الذاكرات غير المتطايرة التقليدية من بطء واضح في معالجة البيانات.

لكن بفضل التقنية الجديدة المعتمدة على قناة ديراك الجرافين ثنائية الأبعاد، استطاع الباحثون تطوير آلية فريدة تتجاوز تلك العقبات، وتفتح الباب أمام جيل جديد من أجهزة الحوسبة الفائقة، خاصة في تطبيقات الذكاء الاصطناعي.